MASTERGAN1 Полумост с высокой плотностью мощности

Высоковольтный полумостовой драйвер STMicroelectronics с высокой плотностью мощности включает в себя два GaN HEMT с повышенным напряжением 650 В

MASTERGAN1 от STMicroelectronics - это первый в мире полумостовой драйвер 600 В с системой GaN HEMT в корпусе (SiP) и первый элемент платформы MASTERGAN. MASTERGAN1 компактен, что позволяет реализовать источник питания с высокой плотностью мощности, даже в четыре раза меньший, чем источник питания на основе переключателей MOSFET, благодаря более высокой частоте переключения GaN и высокой интеграции драйвера и двух переключателей GaN в одном пакет. Он также предлагает надежность. Автономный драйвер оптимизирован для GaN HEMT для быстрого, эффективного и безопасного вождения и упрощения компоновки. Управление дискретными GaN-переключателями может быть сложным, но встроенный драйвер управляет GaN-переключателями, чтобы упростить конструкцию источника питания.