Выберите свою страну или регион.

Главная
Продукты
Дискретных полупроводниковых изделий
Транзисторы - биполярный (БЮТ) - сингл, заранее пр
SMMUN2114LT1G

SMMUN2114LT1G

SMMUN2114LT1G Image
Изображение может быть представлением.
Подробную информацию о продукте см. В технических характеристиках.
AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
Тип продуктов:
SMMUN2114LT1G
Изготовитель / Производитель:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
описание продукта:
TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23
Спецификация:
SMMUN2114LT1G.pdf
Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Состояние на складе:
1400365 pcs stock
Доставить из:
Hong Kong
Путь отгрузки:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все обязательные поля, указав свою контактную информацию. Нажмите « ОТПРАВИТЬ ЗАПРОС »
, мы вскоре свяжемся с вами по электронной почте. Или напишите нам: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 1400365 pcs Справочная цена (в долларах США)

  • 3000 pcs
    $0.026
  • 6000 pcs
    $0.023
  • 15000 pcs
    $0.021
  • 30000 pcs
    $0.019
  • 75000 pcs
    $0.017
Проходная цена(USD):
Кол-во:
Сообщите нам вашу целевую цену, если количество превышает указанное.
Всего: $0.00
SMMUN2114LT1G
Наименование компании
Контактное лицо
Эл. почта
Сообщение
SMMUN2114LT1G Image

Технические характеристики SMMUN2114LT1G

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
(Щелкните пустое поле для автоматического закрытия)
Тип продуктов SMMUN2114LT1G производитель AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Описание TRANS PREBIAS PNP 0.246W SOT23 Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Без свинца / Соответствует RoHS
Кол-во в наличии 1400365 pcs stock Техническая спецификация SMMUN2114LT1G.pdf
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) 50V Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Тип транзистор PNP - Pre-Biased Поставщик Упаковка устройства SOT-23-3 (TO-236)
Серии - Резистор - основание эмиттера (R2) 47 kOhms
Резистор - основание (R1) 10 kOhms Мощность - Макс 246mW
упаковка Tape & Reel (TR) Упаковка / TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Другие названия SMMUN2114LT1G-ND
SMMUN2114LT1GOSTR
Тип установки Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL) 1 (Unlimited) Стандартное время изготовления 36 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Lead free / RoHS Compliant Подробное описание Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V Ток - Коллектор Граничная (Макс) 500nA
Ток - коллектор (Ic) (Макс) 100mA Номер базового номера MMUN21**L
Неисправность

Соответствующая продукция

Связанные теги

Горячая информация