Тип продуктов | SIHP12N50E-GE3 | производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-220AB | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 83063 pcs stock | Техническая спецификация | SIHP12N50E-GE3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-220AB |
Серии | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 114W (Tc) | упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-220-3 | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole | Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 886pF @ 100V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 50nC @ 10V | Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500V | Подробное описание | N-Channel 500V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10.5A (Tc) |