Тип продуктов | SQJ202EP-T1_GE3 | производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 100934 pcs stock | Техническая спецификация | SQJ202EP-T1_GE3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Поставщик Упаковка устройства | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Серии | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 15A, 10V |
Мощность - Макс | 27W, 48W | упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | PowerPAK® SO-8 Dual | Другие названия | SQJ202EP-T1_GE3CT |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 975pF @ 6V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Тип FET | 2 N-Channel (Dual) | FET Характеристика | Standard |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 12V | Подробное описание | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 20A, 60A |