AMI Semiconductor / ON Semiconductor
AMI Semiconductor / ON Semiconductor| Тип продуктов | MUN5315DW1T1G | производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Описание | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 2279721 pcs stock | Техническая спецификация | MUN5315DW1T1G.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V | Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Тип транзистор | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Поставщик Упаковка устройства | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Серии | - | Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
| Резистор - основание (R1) | 10 kOhms | Мощность - Макс | 250mW |
| упаковка | Tape & Reel (TR) | Упаковка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Другие названия | MUN5315DW1T1G-ND MUN5315DW1T1GOSTR |
Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Стандартное время изготовления | 2 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Частота - Переход | - |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 | DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA | Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Номер базового номера | MUN53**DW1 | ||
