Тип продуктов | SMUN5311DW1T2G | производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
---|---|---|---|
Описание | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363 | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 802023 pcs stock | Техническая спецификация | SMUN5311DW1T2G.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V | Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Тип транзистор | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | Поставщик Упаковка устройства | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Серии | - | Резистор - основание эмиттера (R2) | 10 kOhms |
Резистор - основание (R1) | 10 kOhms | Мощность - Макс | 187mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) | Упаковка / | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Другие названия | SMUN5311DW1T2G-ND SMUN5311DW1T2GOSTR |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Стандартное время изготовления | 40 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Частота - Переход | - |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 | DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA | Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Номер базового номера | MUN53**DW1 |