Тип продуктов | IRF630L | производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET N-CH 200V 9A TO-262 | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
Кол-во в наличии | 73775 pcs stock | Техническая спецификация | IRF630L.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | I2PAK |
Серии | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 5.4A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | - | упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | Другие названия | *IRF630L |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 800pF @ 25V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel | FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 200V |
Подробное описание | N-Channel 200V 9A (Tc) Through Hole I2PAK | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Tc) |