Выберите свою страну или регион.

Главная
Продукты
Дискретных полупроводниковых изделий
Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз
IRF630L

IRF630L

IRF630L Image
Изображение может быть представлением.
Подробную информацию о продукте см. В технических характеристиках.
Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
Тип продуктов:
IRF630L
Изготовитель / Производитель:
Electro-Films (EFI) / Vishay
описание продукта:
MOSFET N-CH 200V 9A TO-262
Спецификация:
IRF630L.pdf
Статус RoHS:
Содержит несоответствие свинца / RoHS
Состояние на складе:
73775 pcs stock
Доставить из:
Hong Kong
Путь отгрузки:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все обязательные поля, указав свою контактную информацию. Нажмите « ОТПРАВИТЬ ЗАПРОС »
, мы вскоре свяжемся с вами по электронной почте. Или напишите нам: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 73775 pcs Справочная цена (в долларах США)

  • 700 pcs
    $0.311
Проходная цена(USD):
Кол-во:
Сообщите нам вашу целевую цену, если количество превышает указанное.
Всего: $0.00
IRF630L
Наименование компании
Контактное лицо
Эл. почта
Сообщение
IRF630L Image

Технические характеристики IRF630L

Electro-Films (EFI) / VishayElectro-Films (EFI) / Vishay
(Щелкните пустое поле для автоматического закрытия)
Тип продуктов IRF630L производитель Electro-Films (EFI) / Vishay
Описание MOSFET N-CH 200V 9A TO-262 Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Содержит несоответствие свинца / RoHS
Кол-во в наличии 73775 pcs stock Техническая спецификация IRF630L.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (макс.) ±20V
Технологии MOSFET (Metal Oxide) Поставщик Упаковка устройства I2PAK
Серии - Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 5.4A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс) - упаковка Tube
Упаковка / TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Другие названия *IRF630L
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ) Тип установки Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL) 1 (Unlimited) Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Contains lead / RoHS non-compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 800pF @ 25V Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 43nC @ 10V
Тип FET N-Channel FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 10V Слить к источнику напряжения (VDSS) 200V
Подробное описание N-Channel 200V 9A (Tc) Through Hole I2PAK Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 9A (Tc)
Неисправность

Соответствующая продукция

Связанные теги

Горячая информация