Тип продуктов | SIZ916DT-T1-GE3 | производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 4496 pcs stock | Техническая спецификация | SIZ916DT-T1-GE3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | Поставщик Упаковка устройства | 8-PowerPair® (6x5) |
Серии | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.4 mOhm @ 19A, 10V |
Мощность - Макс | 22.7W, 100W | упаковка | Original-Reel® |
Упаковка / | 8-PowerWDFN | Другие названия | SIZ916DT-T1-GE3DKR |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1208pF @ 15V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 26nC @ 10V |
Тип FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | FET Характеристика | Standard |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V | Подробное описание | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 40A 22.7W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5) |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 16A, 40A | Номер базового номера | SIZ916 |