GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor| Тип продуктов | MBR300150CT | производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Описание | DIODE SCHOTTKY 150V 150A 2 TOWER | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 1999 pcs stock | Техническая спецификация | MBR300150CT.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 880mV @ 150A | Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 150V |
| Поставщик Упаковка устройства | Twin Tower | скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии | - | упаковка | Bulk |
| Упаковка / | Twin Tower | Рабочая температура - Соединение | -40°C ~ 150°C |
| Тип установки | Chassis Mount | Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 4 Weeks | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Диод Тип | Schottky | Диод Конфигурация | 1 Pair Common Cathode |
| Подробное описание | Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150V 150A Chassis Mount Twin Tower | Ток - Обратный утечки @ Vr | 3mA @ 150V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 150A | ||
