Microsemi
Microsemi| Тип продуктов | MV2N5116 | производитель | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Описание | P CHANNEL JFET | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Содержит несоответствие свинца / RoHS |
| Кол-во в наличии | 4564 pcs stock | Техническая спецификация | MV2N5116.pdf |
| Напряжение - Граничная (VGS выключен) @ Id | 6V @ 1nA | Напряжение - Разбивка (V (BR) GSS) | 30V |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-18 (TO-206AA) | Серии | Military, MIL-PRF-19500 |
| Сопротивление - RDS (On) | 100 Ohms | Мощность - Макс | 500mW |
| упаковка | Bulk | Упаковка / | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 200°C (TJ) | Тип установки | Through Hole |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 27pF @ 15V | Тип FET | P-Channel |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 30V | Подробное описание | JFET P-Channel 30V 500mW Through Hole TO-18 (TO-206AA) |
| Ток - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 25mA @ 15V | ||
