Microsemi
Microsemi| Тип продуктов | SG2003J | производитель | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Описание | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 4406 pcs stock | Техническая спецификация | SG2003J.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V | Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Тип транзистор | 7 NPN Darlington | Поставщик Упаковка устройства | 16-CDIP |
| Серии | - | Мощность - Макс | - |
| упаковка | Tube | Упаковка / | 16-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Другие названия | 1259-1080 1259-1080-MIL 1259-1080-ND |
Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип установки | Through Hole | Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Частота - Переход | - |
| Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 16-CDIP | DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | - | Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 500mA |
