Тип продуктов | IXFH12N50F | производитель | IXYS RF |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET N-CH 500V 12A TO247 | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 14600 pcs stock | Техническая спецификация | IXFH12N50F.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5.5V @ 2.5mA | Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-247 (IXFH) |
Серии | HiPerRF™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 6A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 180W (Tc) | упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-247-3 | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole | Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 14 Weeks | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1870pF @ 25V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 54nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel | FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500V |
Подробное описание | N-Channel 500V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH) | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |