Тип продуктов | IXFT12N100F | производитель | IXYS RF |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 9963 pcs stock | Техническая спецификация | IXFT12N100F.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA | Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-268 (IXFT) |
Серии | HiPerRF™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 6A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 300W (Tc) | упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount | Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 14 Weeks | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2700pF @ 25V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel | FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1000V |
Подробное описание | N-Channel 1000V 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT) | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 12A (Tc) |