Тип продуктов | IXFX21N100F | производитель | IXYS RF |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 4963 pcs stock | Техническая спецификация | IXFX21N100F.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA | Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | PLUS247™-3 |
Серии | HiPerRF™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 10.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 500W (Tc) | упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-247-3 | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole | Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 14 Weeks | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 5500pF @ 25V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 160nC @ 10V |
Тип FET | N-Channel | FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1000V |
Подробное описание | N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 21A (Tc) |