Тип продуктов | IXFX55N50F | производитель | IXYS RF |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247 | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 4237 pcs stock | Техническая спецификация | IXFX55N50F.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA | Vgs (макс.) | ±20V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | PLUS247™-3 |
Серии | HiPerRF™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 27.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 560W (Tc) | упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-247-3 | Другие названия | Q1649656 |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Стандартное время изготовления | 14 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 6700pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 195nC @ 10V | Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500V | Подробное описание | N-Channel 500V 55A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 55A (Tc) |