Тип продуктов | BSO615CGHUMA1 | производитель | International Rectifier (Infineon Technologies) |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 120510 pcs stock | Техническая спецификация | BSO615CGHUMA1.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2V @ 20µA | Поставщик Упаковка устройства | PG-DSO-8 |
Серии | SIPMOS® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
Мощность - Макс | 2W | упаковка | Cut Tape (CT) |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Другие названия | BSO615CGHUMA1CT BSO615CINCT BSO615CINCT-ND |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 3 (168 Hours) | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 380pF @ 25V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
Тип FET | N and P-Channel | FET Характеристика | Logic Level Gate |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60V | Подробное описание | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 3.1A, 2A | Номер базового номера | BSO615 |