Тип продуктов | FCI11N60 | производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 4777 pcs stock | Техническая спецификация | FCI11N60.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | I2PAK (TO-262) |
Серии | SuperFET™ | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 5.5A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 125W (Tc) | упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole | Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1490pF @ 25V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 52nC @ 10V | Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 600V | Подробное описание | N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 11A (Tc) |