Тип продуктов | SIHG24N65E-GE3 | производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 24961 pcs stock | Техническая спецификация | SIHG24N65E-GE3.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (макс.) | ±30V |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-247AC |
Серии | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 12A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 250W (Tc) | упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-247-3 | Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole | Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2740pF @ 100V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 122nC @ 10V | Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - | Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 650V | Подробное описание | N-Channel 650V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 24A (Tc) |