GeneSiC Semiconductor
GeneSiC Semiconductor| Тип продуктов | MBRTA600200R | производитель | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Описание | DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 5175 pcs stock | Техническая спецификация | MBRTA600200R.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 920mV @ 300A | Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 200V |
| Поставщик Упаковка устройства | Three Tower | скорость | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Серии | - | упаковка | Bulk |
| Упаковка / | Three Tower | Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Chassis Mount | Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Диод Тип | Schottky |
| Диод Конфигурация | 1 Pair Common Anode | Подробное описание | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 300A Chassis Mount Three Tower |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 4mA @ 200V | Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 300A |
