Выберите свою страну или регион.

Главная
Продукты
Дискретных полупроводниковых изделий
Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз
SCT2160KEC

SCT2160KEC

SCT2160KEC Image
Изображение может быть представлением.
Подробную информацию о продукте см. В технических характеристиках.
LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
Тип продуктов:
SCT2160KEC
Изготовитель / Производитель:
LAPIS Semiconductor
описание продукта:
MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Спецификация:
1.SCT2160KEC.pdf2.SCT2160KEC.pdf
Статус RoHS:
Без свинца / Соответствует RoHS
Состояние на складе:
7452 pcs stock
Доставить из:
Hong Kong
Путь отгрузки:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

Онлайн - запрос

Пожалуйста, заполните все обязательные поля, указав свою контактную информацию. Нажмите « ОТПРАВИТЬ ЗАПРОС »
, мы вскоре свяжемся с вами по электронной почте. Или напишите нам: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 7452 pcs Справочная цена (в долларах США)

  • 1 pcs
    $6.018
  • 10 pcs
    $5.47
  • 25 pcs
    $5.06
  • 100 pcs
    $4.65
  • 250 pcs
    $4.239
Проходная цена(USD):
Кол-во:
Сообщите нам вашу целевую цену, если количество превышает указанное.
Всего: $0.00
SCT2160KEC
Наименование компании
Контактное лицо
Эл. почта
Сообщение
SCT2160KEC Image

Технические характеристики SCT2160KEC

LAPIS SemiconductorLAPIS Semiconductor
(Щелкните пустое поле для автоматического закрытия)
Тип продуктов SCT2160KEC производитель LAPIS Semiconductor
Описание MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247 Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Без свинца / Соответствует RoHS
Кол-во в наличии 7452 pcs stock Техническая спецификация 1.SCT2160KEC.pdf2.SCT2160KEC.pdf
Vgs (й) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA Vgs (макс.) +22V, -6V
Технологии SiCFET (Silicon Carbide) Поставщик Упаковка устройства TO-247
Серии - Rds On (Max) @ Id, Vgs 208 mOhm @ 7A, 18V
Рассеиваемая мощность (макс) 165W (Tc) упаковка Tube
Упаковка / TO-247-3 Другие названия SCT2160KECU
Рабочая Температура 175°C (TJ) Тип установки Through Hole
Уровень чувствительности влаги (MSL) 1 (Unlimited) Статус бесплатного свидания / Статус RoHS Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 1200pF @ 800V Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 62nC @ 18V
Тип FET N-Channel FET Характеристика -
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) 18V Слить к источнику напряжения (VDSS) 1200V
Подробное описание N-Channel 1200V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247 Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 22A (Tc)
Неисправность

Соответствующая продукция

Связанные теги

Горячая информация