Тип продуктов | SCT2160KEC | производитель | LAPIS Semiconductor |
---|---|---|---|
Описание | MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247 | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 7452 pcs stock | Техническая спецификация | 1.SCT2160KEC.pdf2.SCT2160KEC.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA | Vgs (макс.) | +22V, -6V |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) | Поставщик Упаковка устройства | TO-247 |
Серии | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 208 mOhm @ 7A, 18V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 165W (Tc) | упаковка | Tube |
Упаковка / | TO-247-3 | Другие названия | SCT2160KECU |
Рабочая Температура | 175°C (TJ) | Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1200pF @ 800V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 62nC @ 18V |
Тип FET | N-Channel | FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1200V |
Подробное описание | N-Channel 1200V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247 | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 22A (Tc) |