Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba Semiconductor and Storage| Тип продуктов | SSM3J325F,LF | производитель | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Описание | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 760645 pcs stock | Техническая спецификация | SSM3J325F,LF.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | - | Vgs (макс.) | ±8V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | Поставщик Упаковка устройства | S-Mini |
| Серии | U-MOSVI | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 600mW (Ta) | упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Другие названия | SSM3J325F,LF(A SSM3J325F,LF(B SSM3J325F,LF(T SSM3J325FLF SSM3J325FLFTR |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) | Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 270pF @ 10V | Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
| Тип FET | P-Channel | FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V | Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20V |
| Подробное описание | P-Channel 20V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini | Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 2A (Ta) |
